ESH3D V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | ESH3D V7G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 20 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | ESH3 |
ESH3D V7G Einzelheiten PDF [English] | ESH3D V7G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
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DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() ESH3D V7GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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