ESH1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | ESH1D R3G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 15 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | ESH1 |
ESH1D R3G Einzelheiten PDF [English] | ESH1D R3G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
V SMA
DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
15NS, 1A, 150V, ULTRA FAST RECOV
15NS, 1A, 200V, ULTRA FAST RECOV
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
VISHAY SMA
25NS, 1A, 200V, ULTRA FAST RECOV
VISHAY SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
VISHAY DO-214AC(SMA)
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() ESH1D R3GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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