ES3BHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | ES3BHM6G |
---|---|
Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 100 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | ES3B |
ES3BHM6G Einzelheiten PDF [English] | ES3BHM6G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A SMB
DIODE GEN PURP 150V 3A SMC
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
ES3BTR-13 Microsemi
DIODE GEN PURP 150V 3A SMC
DIODE GEN PURP 150V 3A SMC
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 150V 3A SMC
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() ES3BHM6GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|