ES1F R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | ES1F R3G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 300 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 300 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | ES1F |
ES1F R3G Einzelheiten PDF [English] | ES1F R3G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
FAST RECOVERY DIODE (AXIAL) 1500
DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 300V 1A SMA
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DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() ES1F R3GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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