ES1BAL
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | ES1BAL |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 1A THIN SMA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.43 |
10+ | $0.346 |
100+ | $0.2356 |
500+ | $0.1767 |
1000+ | $0.1325 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Thin SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 100 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | ES1B |
TB DIN END BRACKET 100PC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
35NS, 1A, 100V, SUPER FAST RECOV
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A SOD128
35NS, 1A, 100V, SUPER FAST RECOV
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() ES1BALTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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