Name: Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C6V8-G RHG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: BZT52C6V8-G RHG
Price: 0.0324 USD
Availability: InStock
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Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C6V8-G RHG

Artikelnummer:

BZT52C6V8-G RHG

Hersteller / Marke:

Taiwan Semiconductor

Teil der Beschreibung.:

DIODE ZENER 6.8V 350MW SOD123

Datenblätte:

1.BZT52C6V8-G RHG.pdf ···: Datenblätter
BZT52C2V4-G ~ BZT52C43-G.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Sub Con Chg 14/Aug/2020.pdf

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C6V8-G RHG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BZT52C6V8-G RHG.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Spannung - Zener (Nom) (Vz)	6.8 V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	900 mV @ 10 mA
Toleranz	±5%
Supplier Device-Gehäuse	SOD-123
Serie	-
Leistung - max	350 mW
Verpackung / Gehäuse	SOD-123

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Impedanz (Max) (Zzt)	15 Ohms
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	2 µA @ 4 V
Grundproduktnummer	BZT52C
BZT52C6V8-G RHG Einzelheiten PDF [English]	BZT52C6V8-G RHG PDF - EN.pdf

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