BYG23M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | BYG23M R3G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1.5 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1000 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 65 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 1000 V |
Strom - Richt (Io) | 1.5A |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | BYG23 |
BYG23M R3G Einzelheiten PDF [English] | BYG23M R3G PDF - EN.pdf |
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BYG23M R3GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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