BYG20J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | BYG20J R3G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4 V @ 1.5 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 1.5A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | BYG20 |
BYG20J R3G Einzelheiten PDF [English] | BYG20J R3G PDF - EN.pdf |
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BYG20J R3GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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