6A60G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | 6A60G A0G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 6A R-6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 6 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | R-6 |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | R-6, Axial |
Paket | Tape & Box (TB) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 6A |
Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | 6A60 |
6A60G A0G Einzelheiten PDF [English] | 6A60G A0G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 6A R-6
DIODE GEN PURP 600V 6A R-6
DIODE GEN PURP 600V 6A R-6
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DIODE GEN PURP 600V 6A R-6
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() 6A60G A0GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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