1N5407GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | 1N5407GHB0G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-201AD |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Verpackung / Gehäuse | DO-201AD, Axial |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 800 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | 1N5407 |
1N5407GHB0G Einzelheiten PDF [English] | 1N5407GHB0G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
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DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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