1N4007GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | 1N4007GHB0G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1000 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-204AL (DO-41) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Verpackung / Gehäuse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | 1N4007 |
1N4007GHB0G Einzelheiten PDF [English] | 1N4007GHB0G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
DIODE GEN PURP 1A DO204AL
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
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DIODES DO-41
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DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
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DIODE STD DO-41 1000V 1A
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() 1N4007GHB0GTaiwan Semiconductor Corporation |
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Zielpreis (USD)
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