TK12P60W,RVQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
Serie | DTMOSIV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340mOhm @ 5.8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 100W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 300 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11.5A (Ta) |
Grundproduktnummer | TK12P60 |
TK12P60W,RVQ(S Einzelheiten PDF [English] | TK12P60W,RVQ(S PDF - EN.pdf |
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2023/12/20
![]() TK12P60W,RVQ(SToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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