Name: Vishay Siliconix Si1900DL-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: Si1900DL-T1-GE3
Price: 0.2374 USD
Availability: InStock
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Vishay Siliconix Si1900DL-T1-GE3

Artikelnummer:

Si1900DL-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix Si1900DL-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments Si1900DL-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SC-70-6
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480mOhm @ 590mA, 10V
Leistung - max	300mW, 270mW
Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 10V
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	630mA (Ta), 590mA (Ta)
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	SI1900
Si1900DL-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	Si1900DL-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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