CIGW252010GL2R2MNE
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Samsung Electro-Mechanics CIGW252010GL2R2MNE
| Artikelnummer: | CIGW252010GL2R2MNE |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Samsung Electro-Mechanics |
| Teil der Beschreibung.: | FIXED IND 2.2UH 2.2A 93MOHM SMD |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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Samsung Electro-Mechanics CIGW252010GL2R2MNE Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CIGW252010GL2R2MNE.Produkteigenschaften Eigenschaften Art Drum Core, Wirewound Toleranz ±20% Supplier Device-Gehäuse 1008 (2520 Metric) Größe / Dimension 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Abschirmung Unshielded Serie CIGW Bewertungen - Q @ Frequenz - Verpackung / Gehäuse 1008 (2520 Metric) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Material - Kern Metal Composite Induktivität Frequenz - Test 1 MHz Induktivität 2.2 µH Höhe - eingesteckt (max) 0.039" (1.00mm) Frequenz - Eigenresonanz - Eigenschaften - DC-Widerstand (DCR) 93mOhm Max Aktuelle Bewertung (AMPs) 2.2 A Strom - Sättigung (ISAT) 2.6A -
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