STWA72N60DM2AG
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STWA72N60DM2AG |
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Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 66A TO247 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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600+ | $7.999 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247 Long Leads |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 33A, 10V |
Verlustleistung (max) | 446W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5508 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 121 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 66A (Tc) |
Grundproduktnummer | STWA72 |
MOSFET N-CH 600V 63A TO247
DISCRETE
IC CONTROLLER BATT CHARG QFPN
MOSFET N-CH 650V 68A TO247
DISCRETE
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
MOSFET N-CH 650V 84A TO247
N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7
IND.& POWER CONV.
IC FLYBACK CTLR TRANSM VFQFPN
MOSFET N-CH 600V 38A TO247
MOSFET N-CH 600V 62A TO247
MOSFET N-CH 600V 72A TO247
MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247
DISCRETE
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
VFQFPN 5X5X1.0 32L P
IND.& POWER CONV.
DISCRETE
MOSFET N-CH 600V 72A TO247
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() STWA72N60DM2AGSTMicroelectronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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