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STMicroelectronics
STP4LN80K5 Image

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siehe Spezifikationen für Produktdetails.

STP4LN80K5

Hersteller-Teilenummer: STP4LN80K5
Hersteller / Marke: STMicroelectronics
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
Datenblätte: 1.STP4LN80K5.pdf 2.STP4LN80K5.pdf
RoHs Status: Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers: 2106 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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vorrätig: 2106

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  • ArtikelnummerSTP4LN80K5
  • HerstellerSTMicroelectronics
  • BeschreibungMOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
  • KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
  • Teilstatus2106 pcs Stock
  • VGS (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
  • Vgs (Max)±30V
  • TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-GehäuseTO-220
  • SerieMDmesh™ K5
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6 Ohm @ 1A, 10V
  • Verlustleistung (max)60W (Tc)
  • VerpackungTube
  • Verpackung / GehäuseTO-220-3
  • Andere Namen497-17294
    STP4LN80K5-ND
  • Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
  • BefestigungsartThrough Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit42 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds122pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7nC @ 10V
  • Typ FETN-Channel
  • FET-Merkmal-
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)800V
  • detaillierte BeschreibungN-Channel 800V 3A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C3A (Tc)
  • STP4LN80K5 Einzelheiten PDF [English]STP4LN80K5 PDF - EN.pdf
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