STP150N10F7AG
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STP150N10F7AG |
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Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL 100 V STRIPFET F7 POWE |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $4.06 |
10+ | $3.645 |
100+ | $2.9861 |
500+ | $2.542 |
1000+ | $2.1439 |
2000+ | $2.0367 |
5000+ | $1.9601 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 55A, 10V |
Verlustleistung (max) | 250W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 127 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
MOSFET N-CH 100V 110A TO220
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() STP150N10F7AGSTMicroelectronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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