STN2NE10L
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STN2NE10L |
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Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-223 |
Serie | STripFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 1A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 345 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.8A (Tc) |
Grundproduktnummer | STN2N |
STN2NE10L Einzelheiten PDF [English] | STN2NE10L PDF - EN.pdf |
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MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() STN2NE10LSTMicroelectronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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