STL8N10F7
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STL8N10F7 |
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Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V POWERFLAT |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.35 |
10+ | $1.207 |
100+ | $0.9414 |
500+ | $0.7777 |
1000+ | $0.6139 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.5W (Ta), 50W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
Grundproduktnummer | STL8 |
STL8N10F7 Einzelheiten PDF [English] | STL8N10F7 PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() STL8N10F7STMicroelectronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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