Name: STMicroelectronics STI11NM80
Brand: STMicroelectronics
SKU: STI11NM80
Availability: InStock
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STMicroelectronics STI11NM80

Artikelnummer:

STI11NM80

Hersteller / Marke:

STMicroelectronics

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK

Datenblätte:

1.STI11NM80.pdf ···: 2D -Zeichnungen
STx11NM80.pdf Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf

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ROHS3 -konform

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~STMicroelectronics STI11NM80 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments STI11NM80.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	I2PAK (TO-262)
Serie	MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)	150W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43.6 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11A (Tc)
Grundproduktnummer	STI11
STI11NM80 Einzelheiten PDF [English]	STI11NM80 PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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