STD4NK80Z-1
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STD4NK80Z-1 |
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Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.05 |
10+ | $1.838 |
100+ | $1.4777 |
500+ | $1.214 |
1000+ | $1.0059 |
2000+ | $0.9365 |
5000+ | $0.9019 |
10000+ | $0.8787 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-251 (IPAK) |
Serie | SuperMESH™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 80W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 575 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A (Tc) |
Grundproduktnummer | STD4NK80 |
STD4NK80Z-1 Einzelheiten PDF [English] | STD4NK80Z-1 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 250V 4A DPAK
ST TO-252
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
ST TO-252
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
ST TO-252
STD4NK80ZT4G ST
ST TO-252
ST TO-252-251
ST TO-252-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() STD4NK80Z-1STMicroelectronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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