STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STD12N60DM2AG |
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Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.44 |
10+ | $2.188 |
100+ | $1.759 |
500+ | $1.4452 |
1000+ | $1.1975 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D-PAK (TO-252) |
Serie | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 614 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
Grundproduktnummer | STD12 |
STD12N60DM2AG Einzelheiten PDF [English] | STD12N60DM2AG PDF - EN.pdf |
DISCRETE
MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
MOSFET N-CH SPCL 100V DPAK
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
ST TO-252
STD12N10L-TR ST
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK
ST SOT-252
ST TO-252
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() STD12N60DM2AGSTMicroelectronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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