STB18N60DM2
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STB18N60DM2 |
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Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.98 |
10+ | $2.675 |
100+ | $2.1501 |
500+ | $1.7665 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
Serie | MDmesh™ DM2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 6A, 10V |
Verlustleistung (max) | 90W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
Grundproduktnummer | STB18 |
STB18N60DM2 Einzelheiten PDF [English] | STB18N60DM2 PDF - EN.pdf |
PRE-PRINTED MARKER
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
PRE-PRINTED MARKER
MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
ST TO-263
MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
ST TO-263
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
STB185N55F ST
STB18NM60 ST
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() STB18N60DM2STMicroelectronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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