Name: STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCTH70N120G2V-7
Price: 36.2655 USD
Availability: OutOfStock

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STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7

Artikelnummer:

SCTH70N120G2V-7

Hersteller / Marke:

STMicroelectronics

Teil der Beschreibung.:

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Datenblätte:

1.SCTH70N120G2V-7.pdf ···: PCN -Baugruppe/Herkunft
SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022.pdf

Datenblätter
SCTH70N120G2V-7.pdf

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~~STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SCTH70N120G2V-7.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4.9V @ 1mA
Vgs (Max)	+22V, -10V
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse	H2PAK-7
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 50A, 18V
Verlustleistung (max)	469W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3540 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 18 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	90A (Tc)

Rückgabe -Richtlinien

Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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