IRF630
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | IRF630 |
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Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.59 |
10+ | $1.424 |
100+ | $1.1104 |
500+ | $0.9173 |
1000+ | $0.7242 |
2000+ | $0.6759 |
5000+ | $0.6421 |
10000+ | $0.618 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
Serie | MESH OVERLAY™ II |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 75W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
Grundproduktnummer | IRF6 |
IRF630 Einzelheiten PDF [English] | IRF630 PDF - EN.pdf |
ST TO-220F
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
IRF630. IR
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
ST TO-220
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
FAIRCHILD TO-220
IR TO-263
FAIRCHILD TO220
IRF630A - 200V N-CHANNEL MOSFET
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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