Name: Fairchild Semiconductor SSW2N60BTM
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: SSW2N60BTM
Price: 0.46 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (192 reviews)

Fairchild Semiconductor SSW2N60BTM

Artikelnummer:

SSW2N60BTM

Hersteller / Marke:

Fairchild Semiconductor

Teil der Beschreibung.:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ECAD -Modell:

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PayPal / Credit Card / T/T

Versandweg:

DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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650+

$0.46

Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Fairchild Semiconductor SSW2N60BTM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SSW2N60BTM.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)	3.13W (Ta), 54W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Tc)
SSW2N60BTM Einzelheiten PDF [English]	SSW2N60BTM PDF - EN.pdf

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- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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