SSP3N80A
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 850mA, 10V |
Verlustleistung (max) | 100W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A (Tc) |
SSP3N80A Einzelheiten PDF [English] | SSP3N80A PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SSP3N80AFairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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