Name: Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J412TU,LF
Price: 0.1134 USD
Availability: InStock
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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU,LF

Artikelnummer:

SSM6J412TU,LF

Hersteller / Marke:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 20V 4A UF6

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ECAD -Modell:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU,LF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SSM6J412TU,LF.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	UF6
Serie	U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	6-SMD, Flat Leads
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	150°C

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.8 nC @ 4.5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A (Ta)
Grundproduktnummer	SSM6J412
SSM6J412TU,LF Einzelheiten PDF [English]	SSM6J412TU,LF PDF - EN.pdf

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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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