SSM6J412TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.37 |
10+ | $0.296 |
100+ | $0.2016 |
500+ | $0.1512 |
1000+ | $0.1134 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | UF6 |
Serie | U-MOSVI |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42.7mOhm @ 3A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 6-SMD, Flat Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 840 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.8 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Ta) |
Grundproduktnummer | SSM6J412 |
SSM6J412TU,LF Einzelheiten PDF [English] | SSM6J412TU,LF PDF - EN.pdf |
SSM6J412TU(TE85L,F TOSHIBA
TOSHIBA SOT363
TOSHIBA UF6
TOSHIBA SOT363
MOSFET P CH 20V 6A UF6
TOSHIBA SOT-363
TOSHIBA SOT363
TOSHIBA SMD
MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
TOSHIBA SOT363
TOSHIBA SOT-363
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SSM6J412TU,LFToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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