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Vishay Siliconix 2N6661
| Artikelnummer: | 2N6661 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Amphenol SSI Technologies |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 90V 860MA TO39 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $4.95 |
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- Spezifikationen
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- Versandinformationen
- Verpackung
-
Vishay Siliconix 2N6661 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments 2N6661.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Vgs (Max) ±40V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-39 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 1A, 10V Verlustleistung (max) 6.25W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Paket Box Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 90 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 900mA (Tc) Grundproduktnummer 2N6661 2N6661 Einzelheiten PDF [English] 2N6661 PDF - EN.pdf -
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