SPP24N60CFD
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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124+ | $2.42 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1.2mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3-1 |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 15.4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 240W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3160 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21.7A (Tc) |
SPP24N60CFD Einzelheiten PDF [English] | SPP24N60CFD PDF - EN.pdf |
RES 100 OHM 2W 5% AXIAL
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3
INFINEON TO-220
MOSFET N-CH 650V 21.7A TO220-3
INFINEON TO-220
RES 10 OHM 2W 5% AXIAL
RES 10 OHM 2W 5% AXIAL
RES 150 OHM 2W 5% AXIAL
INFINEON TO-220AB
Infineon TO-220
INFINEON TO-220
Infineon TO-220
INFINEON TO-220
RES 100 OHM 2W 5% AXIAL
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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