Name: Infineon Technologies SPD30N03S2L-07 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD30N03S2L-07 G
Price: 0.56 USD
Availability: InStock
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Infineon Technologies SPD30N03S2L-07 G

Artikelnummer:

SPD30N03S2L-07 G

Hersteller / Marke:

Infineon Technologies

Teil der Beschreibung.:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Datenblätte:

None

RoHs Status:

Lead free / RoHs compliant

ECAD -Modell:

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Versandweg:

DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
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~~Infineon Technologies SPD30N03S2L-07 G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SPD30N03S2L-07 G.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 85µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PG-TO252-3-313
Serie	CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	136W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	30A (Tc)
SPD30N03S2L-07 G Einzelheiten PDF [English]	SPD30N03S2L-07 G PDF - EN.pdf

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