SPB160N04S2-03
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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129+ | $2.33 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-7-3 |
Serie | OptiMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7320 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 160A (Tc) |
SPB160N04S2-03 Einzelheiten PDF [English] | SPB160N04S2-03 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
SPB17N80C3 Infineon Technologies
INFINEON P-TO263-3-2
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
INFINEON P-TO263-3-2
DIODE MODULE 100V 160A SOT227
SPB160N02S2-03 INFINEON
MOSFET N-CH 560V 16A TO263-3
INFINEON TO-263
N-CHANNEL POWER MOSFET
SPB 18C 18#20 PIN/SKT RECP
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SPB160N04S2-03Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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