Name: Infineon Technologies SPB03N60S5
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB03N60S5
Price: 0.45 USD
Availability: InStock
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Infineon Technologies SPB03N60S5

Artikelnummer:

SPB03N60S5

Hersteller / Marke:

Infineon Technologies

Teil der Beschreibung.:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ECAD -Modell:

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PayPal / Credit Card / T/T

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
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Verpackung

~~Infineon Technologies SPB03N60S5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SPB03N60S5.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	5.5V @ 135µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PG-TO263-3-2
Serie	CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)	38W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.2A (Tc)
SPB03N60S5 Einzelheiten PDF [English]	SPB03N60S5 PDF - EN.pdf

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