SP8M4TB
Rohm Semiconductor
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2500+ | $1.1385 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 9A, 10V |
Leistung - max | 2W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
FET-Merkmal | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A, 7A |
Konfiguration | - |
Grundproduktnummer | SP8M4 |
SP8M4TB Einzelheiten PDF [English] | SP8M4TB PDF - EN.pdf |
SP8M5 ROHM
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SP8M4TBRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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