SI4466DY
Fairchild Semiconductor
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 15A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4700 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 15A (Ta) |
SI4466DY Einzelheiten PDF [English] | SI4466DY PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
SI4465ADY-T1-E3. VISHAY
MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
VISHAY SOP-8
VISHAY SOP8
VISHAY SOP-8
VISHAY SOP8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI4466DYFairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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