SGB30N60
Infineon Technologies
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
Testbedingung | 400V, 30A, 11Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 44ns/291ns |
Schaltenergie | 1.29mJ |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
Serie | - |
Leistung - max | 250 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | NPT |
Gate-Ladung | 140 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 112 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 41 A |
Grundproduktnummer | SGB30 |
SGB30N60 Einzelheiten PDF [English] | SGB30N60 PDF - EN.pdf |
IGBT D2PAK SP 350V TR
IGBT 600V 41A 250W TO263-3
INFINEON TO-263
SGB4533ZSR RFMD
SGB4333ZSR RFMD
RFMD QFN
IGBT D2PAK SP 350V TR
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MAGNET SWITCH
IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL
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SGB4300 MMIC
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IGBT D2PAK SP 350V TR
SGB2433Z SIRENZA
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IGBT 600V 40A 179W TO263-3
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SGB30N60Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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