SGB15N60
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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267+ | $1.13 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 15A |
Testbedingung | 400V, 15A, 21Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 32ns/234ns |
Schaltenergie | 570µJ |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
Serie | - |
Leistung - max | 139 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | NPT |
Gate-Ladung | 76 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 62 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 31 A |
Grundproduktnummer | SGB15N |
SGB15N60 Einzelheiten PDF [English] | SGB15N60 PDF - EN.pdf |
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2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SGB15N60Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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