SCH1301-TL-E
onsemi
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2959+ | $0.10 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | - |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-SCH |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 1.3A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 800mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 6-SMD, Flat Leads |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 6 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.4A (Ta) |
SCH1301-TL-E Einzelheiten PDF [English] | SCH1301-TL-E PDF - EN.pdf |
FIXED IND 6.8UH 3.7A 54 MOHM SMD
FIXED IND 8.6UH 3.4A 60 MOHM SMD
DIODE GP 12.5KV 500MA AXIAL
FIXED IND 82UH 1.4A 289 MOHM SMD
FIXED IND 82UH 1.4A 289 MOHM SMD
FIXED IND 6.8UH 3.7A 54 MOHM SMD
FIXED IND 8.6UH 3.4A 60 MOHM SMD
FIXED IND 68UH 1.58A 241MOHM SMD
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SCH1301-TL-Eonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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