RU1L002SNTL
Rohm Semiconductor
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.40 |
10+ | $0.327 |
100+ | $0.1736 |
500+ | $0.1142 |
1000+ | $0.0777 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | UMT3F |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 250mA, 10V |
Verlustleistung (max) | 200mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SC-85 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 15 pF @ 25 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 250mA (Ta) |
Grundproduktnummer | RU1L002 |
RU1L002SNTL Einzelheiten PDF [English] | RU1L002SNTL PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RU1L002SNTLRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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