Name: Toshiba Semiconductor and Storage RN1707JE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1707JE(TE85L,F)
Price: 0.0749 USD
Availability: InStock
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Toshiba Semiconductor and Storage RN1707JE(TE85L,F)

Artikelnummer:

RN1707JE(TE85L,F)

Hersteller / Marke:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teil der Beschreibung.:

NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4

Datenblätte:

None

RoHs Status:

Lead free / RoHs compliant

ECAD -Modell:

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Toshiba Semiconductor and Storage RN1707JE(TE85L,F) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments RN1707JE(TE85L,F).~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ	2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Supplier Device-Gehäuse	ESV
Serie	-
Widerstand - Emitterbasis (R2)	47kOhms
Widerstand - Basis (R1)	10kOhms
Leistung - max	100mW
Verpackung / Gehäuse	SOT-553

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Paket	Tape & Reel (TR)
Befestigungsart	Surface Mount
Frequenz - Übergang	250MHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA
Grundproduktnummer	RN1707
RN1707JE(TE85L,F) Einzelheiten PDF [English]	RN1707JE(TE85L,F) PDF - EN.pdf

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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

Wie man kauft

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