RJK03E1DNS-00#J5
Renesas Electronics America Inc
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
276+ | $1.09 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | - |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-HWSON (3.3x3.3) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 12.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 15W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerWDFN |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.7 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 25A (Ta) |
RJK03E1DNS-00#J5 Einzelheiten PDF [English] | RJK03E1DNS-00#J5 PDF - EN.pdf |
N-CHANNEL POWER MOSFET
RENESAS QFN-8
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON
RJK03E0DNS RENESAS
RJK03E2 - Silicon N Channel Powe
RENESAS WPAK
N CHANNEL 30V, 30A, POWER SWITCH
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RJK03E1DNS-00#J5Renesas Electronics America Inc |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|