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| Artikelnummer: | RJK0226DNS-00#J5 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Nexperia USA Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | RJK0226 - Silicon N Channel Powe |
| Datenblätte: | None |
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Nexperia USA Inc. RJK0226DNS-00#J5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments RJK0226DNS-00#J5.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Vgs (Max) ±12V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-HVSON (3x3.3) Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 20A, 8V Verlustleistung (max) 30W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN Paket Bulk Betriebstemperatur 150°C Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6020 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 8V Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Ta) RJK0226DNS-00#J5 Einzelheiten PDF [English] RJK0226DNS-00#J5 PDF - EN.pdf -
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