RFP50N05
Harris Corporation
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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325+ | $0.92 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250nA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 50A, 10V |
Verlustleistung (max) | 132W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 20 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
RFP50N05 Einzelheiten PDF [English] | RFP50N05 PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RFP50N05Harris Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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