RFP3N45
Harris Corporation
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 60W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 450 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A (Tc) |
RFP3N45 Einzelheiten PDF [English] | RFP3N45 PDF - EN.pdf |
18 GHZ RF POWER SENSOR REAL-TIME
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB
MOSFET P-CH 60V 30A TO220-3
40 GHZ RF POWER SENSOR REAL-TIME
MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3
(RFP) RFP328DP, ROLL, 28.5"X150'
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
(RFP) RFP314P, RL,14.25"X150',ME
40A, 100V, 0.04OHM, N-CHANNEL PO
MOSFET P-CH 50V 30A TO220-3
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RFP3N45Harris Corporation |
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Zielpreis (USD)
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