RFP2P08
Harris Corporation
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1110+ | $0.27 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1A, 10V |
Verlustleistung (max) | 25W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A (Tc) |
RFP2P08 Einzelheiten PDF [English] | RFP2P08 PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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