RF1S70N03
Harris Corporation
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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188+ | $1.60 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-262AA |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 70A, 10V |
Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 20 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 70A (Tc) |
RF1S70N03 Einzelheiten PDF [English] | RF1S70N03 PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RF1S70N03Harris Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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