P3D12010T2
PN Junction Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | P3D12010T2 |
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Hersteller / Marke: | PN Junction Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARB 1.2KV 31A TO220-2 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $6.54 |
11+ | $5.9109 |
101+ | $4.89 |
501+ | $4.251 |
1001+ | $3.7278 |
2000+ | $3.57 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1200 V |
Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220-2 |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | P3D |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0 ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | TO-220-2 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 50 µA @ 650 V |
Strom - Richt (Io) | 31A |
DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-3
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() P3D12010T2PN Junction Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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