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PN Junction Semiconductor
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PN Junction Semiconductor P3D06002E2
| Artikelnummer: | P3D06002E2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | PN Junction Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARB 650V 9A TO252-2 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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PN Junction Semiconductor P3D06002E2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments P3D06002E2.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Sperr (Vr) (max) 650 V Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Supplier Device-Gehäuse TO-252-2 Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Serie P3D Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns Produkteigenschaften Eigenschaften Verpackung / Gehäuse TO-252-2 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 650 V Strom - Richt (Io) 9A -
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