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Panjit International Inc. PJW5N06A_R2_00001
| Artikelnummer: | PJW5N06A_R2_00001 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | PANJIT |
| Teil der Beschreibung.: | 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
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Panjit International Inc. PJW5N06A_R2_00001 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments PJW5N06A_R2_00001.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SOT-223 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 5A, 10V Verlustleistung (max) 3.1W (Ta) Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 509 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta) Grundproduktnummer PJW5N06 -
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