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Panjit International Inc. PJW1NA60B_R2_00001
| Artikelnummer: | PJW1NA60B_R2_00001 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | PANJIT |
| Teil der Beschreibung.: | 600V N-CHANNEL MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
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Panjit International Inc. PJW1NA60B_R2_00001 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments PJW1NA60B_R2_00001.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 500mA, 10V Verlustleistung (max) 3.3W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 400mA (Ta) -
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